OptoDiode多像元光电二极管是电子检测理想的选择，分段光电二极管光谱应用范围是250nm-1100nm，存储和工作温度在环境下是-10°C~40°C，在氮气或真空是-20°C至80°C，引线焊接温度是260°C。
响应性好，噪音低，OptoDiode多像元光电二极管
美国OptoDiode分段光电二极管有红色增强型和紫外线增强型分段探测器，AXUVPS7、SXUVPS4、SXUVPS4C分段探测器存储和工作温度在环境下是-10°C~40°C，在氮气或真空是-20°C至80°C，引线焊接温度是260°C。超过这些参数的温度可能会在有源区产生氧化物生长。随着时间的推移，对低能量辐射和波长低于150纳米的辐射的反应性将受到影响。距离外壳0.080"，持续10秒。发货时带有临时盖子，以保护光电二极管和导线连接。在拆除盖子之前，请查看OptoDiode，"IRD检测器的处理注意事项"。美国OptoDiode分段探测器光子响应性好，噪音低，是电子检测的理想选择。
OptoDiode分段光电二极管型号
常见的基板分段探测器是精确归零或定心应用的理想选择，提供双节电池或四节电池配置。
型号
零件编号
描述
有效面积mm²
AXUVPS7
ODD-AXU-096
四光二极管是电子检测的理想选择
36.5
ODD-3W-2
ODD-632-007
红色增强型3.1mm²双电池光电二极管
3
SXUVPS4
ODD-SXU-013
象限紫外线增强光电二极管
5
SXUVPS4C
ODD-SXU-023
象限紫外线增强光电二极管
5
ODD-3W-2分段光电二极管的特点
- 红色增强型
- 低噪音
- 高响应
- 高分流电阻
- 扁平的TO-5封装
在VR=5 V测试条件下，暗电流典型值是0.9na，最大值是5na。VR=10 mV， 分流电阻的典型值是300欧姆。当VR=0 V, f=1MHz，结点电阻是30pF，当VR=10 V, f=1MHz时结点电阻是7.5pF。光谱应用范围是250nm-1100nm。当λ=633nm, VR=0V时，反应性最小值是0.32A/W，典型值是0.36A/W，当λ=900nm, VR=0V时，反应性最小值是0.5A/W，典型值是0.6A/W。当IR=10μA，击穿电压最小值是25V，典型值是60V。当VR=0V, λ=950nm时，噪声等效功率2.5x10-14 W/√HZ。当RL=50Ω, VR=0V，上升时间典型值为190纳秒，当RL=50Ω, VR=10V，上升时间典型值为8纳秒。反向电压100V。暗电流与电压图同AXUVPS7分段光电二极管相同。
存储温度为-55°C~150°C，工作温度为-40°C~125°C，引线焊接温度是260°C。
Opto Diode光电二极管阵列，电子检测的理想选择
Opto Diode提供标准和定制配置的多元素或阵列探测器，以紧凑的封装提供AXUV、SXUV、UVG和NXIR系列的所有优点
Opto Diode光电二极管阵列有两种型号，采用40针双列式封装或者22针双列式封装，是电子检测的理想选择。有保护性盖板，以保护光电二极管阵列和导线连接。波威Opto Diode光电探测器阵列可以在紫外、可见、近红外光中进行响应，从典型的紫外-可见-近红外光子响应性图中可以看到灵敏度小于0.5A/W。
光电二极管阵列有效面积分别是3mm²和10mm²，AXUV16ELG光电二极管阵列是16个元件光电二极管阵列，AXUV20ELG多元素阵列是20个元素的阵列。光电二极管阵列储存和工作温度范围在外界下是-10°C~40°C，在氮气和真空下温度是-20°C~80°C，引线焊接的温度是260°C。超过这些参数的温度可能会在有源区产生氧化物生长。随着时间的推移，对低能量辐射和150纳米以下波长的响应性将受到影响。距离外壳0.080英寸，持续10秒。发货时带有临时盖子，以保护Opto Diode光电探测器阵列和导线连接。在拆除盖子之前，请查看应用说明 "AXUV、SXUV和UVG检测器的处理注意事项"。
AXUV16ELG光电二极管阵列的特点,
- 40针双列式封装
- 是电子检测的理想选择
- 保护性盖板
在25°C时的电光特性
AXUV16ELG光电二极管阵列在2mmx5mm的测试条件下，有效面积的典型值是10mm²。当电阻的电流为IR=1µA时，反向击穿电压典型值是25V。VR=0V时，电容的典型值是700pF,最大值是2000Pf。VR=0V测试条件下，上升时间典型值为500纳秒。在Vf=±10mV测试条件下时，每个元件的分流电阻值是100欧姆。
AXUV20ELG光电探测器阵列的特点
- 22针双列式封装
- 是电子检测的理想选择
- 保护性盖板3
AXUV20ELG光电探测器阵列在0.75mmx4.1mm的测试条件下，有效面积的典型值是3mm²，灵敏度见图，当电阻的电流为IR=1µA时，反向击穿电压典型值是25V，最小值是20V。VR=0V时，电容,最大值是1nF。VR=0V测试条件下，上升时间典型值为200纳秒。在Vf=±10mV测试条件下时，每个元件的分流电阻值是100欧姆。
SXUVPS4C分段光电二极管
TO-5，5引脚封装，SXUVPS4C分段光电二极管每象限有效面积的典型值是1.25mm²，在波长254nm时，响应性是0.02A/W。VR=±18V，暗电流典型值是1nA，最大值是100nA。当R=1µA时，反向击穿电压最小值是20V。VR=0V，电容典型值是100pF，最大值是300Pf。VR=0V时，上升时间典型值是1微秒。Vf=±10mV时分流电阻是100欧姆。电容与电压是反比的关系，暗电流与电压是正比的关系
AXUVPS7分段光电二极管的特点
- 是电子检测的理想选择
- 圆形有效区域
AXUVPS7分段光电二极管在25°C时的电光特性，有效面积的典型值是36.5mm²。响应性的最小值是0.07A/W，典型值是0.08A/W，最大值是0.09A/W。当VR为±10mV时，分流电阻最小值为10欧姆，当电阻的电流为IR=1µA时，反向击穿电压最小值是5V。VR=0V时，电容的典型值是2nF,最大值是6nf。当VR=2V, RL=50Ω，上升时间最大值是2微秒。
美国Optodiode光电二极管：多像元和阵列探测器
光电二极管提供标准和自定义配置的多元件或阵列探测器，以紧凑的封装提供我们的AXUV、SXUV、UVG和NXIR系列的所有优势。
AXUV16ELG ODD-AXU-023 16 Element Photodiode Array Ideal for Electron Detection
AXUV20ELG ODD-AXU-033 20 Element Photodiode Array Ideal for Electron Detection
AXUV16ELG ODD-AXU-023 16元件光电二极管阵列是电子探测的理想选择
AXUV20ELG ODD-AXU-033 20元件光电二极管阵列是电子探测的理想选择
Optodiode光电二极管：电子、光子、X射线探测器（AXUV）
AXUV系列探测器的特点是对0.0124nm至190nm的光子、电子或X射线进行高性能测量，并检测100eV至50keV的能量。
型号 描述
AXUV100G ODD-AXU-010 Large Photodiode Ideal for Radiation Detection
AXUV20A ODD-AXU-026 Circular Photodiode Ideal for Radiation Detection
AXUV20HS1 ODD-AXU-036 High Speed Circular Photodiode Ideal for Radiation Detection
AXUV300C ODD-AXU-082 Large Rectangular Photodiode Ideal for Radiation Detection
AXUV576C ODD-AXU-048 Large Square Photodiode Ideal for Radiation Detection
AXUV63HS1 ODD-AXU-049 High Speed Circuclar Photodiode Ideal for Radiation Detection
AXUV63HS1-CH ODD-AXU-051 High Speed Circular Photodiode with Center Hole Ideal for Radiation Detection
AXUV100G ODD-AXU-010 大型光电二极管是辐射检测的理想选择
AXUV20A ODD-AXU-026 圆形光电二极管是辐射探测的理想选择
AXUV20HS1 ODD-AXU-036 高速环形光电二极管是辐射探测的理想选择
AXUV300C ODD-AXU-082 大型矩形光电二极管是辐射探测的理想选择
AXUV576C ODD-AXU-048 大型方形光电二极管是辐射探测的理想选择
AXUV63HS1 ODD-AXU-049 高速环形光电二极管，辐射探测的理想选择
AXUV63HS1-CH ODD-AXU-051 带中心孔的高速圆形光电二极管是辐射探测的理想选择
光电二极管：EUV增强型探测器（SXUV）
SXUV系列极紫外（EUV）增强型探测器具有好的13.5nm光刻能力，在1nm至190nm的极紫外曝光中具有稳定的响应度，是关键的EUV光测量的理想选择。
SXUV100 ODD-SXU-001 Large EUV Photodetector (1nm-190nm)
SXUV20C ODD-SXU-051 EUV Low Noise Photodetector (1nm-190nm)
SXUV20HS1 ODD-SXU-004 High Speed EUV Photodetector (1nm-190nm
SXUV300C ODD-SXU-044 Large EUV High Speed Ceramic Package Photodetector (1nm-190nm)
SXUV5 ODD-SXU-008 High Speed EUV Photodetector (1nm-90nm)
SXUV100 ODD-SXU-001大型EUV光电探测器（1nm-190nm）
SXUV20C ODD-SXU-051 EUV低噪声光电探测器（1nm-190nm）
SXUV20HS1 ODD-SXU-004高速EUV光电探测器（1nm-190nm
SXUV300C ODD-SXU-044大型EUV高速陶瓷封装光电探测器（1nm-190nm）
SXUV5 ODD-SXU-008高速EUV光电探测器（1nm-90nm）
光电二极管：集成薄膜、封装和滤光器组件
光电二极管生产集成薄膜滤波器，用于检测太阳EUV辐射、软x射线辐射测量、x射线和EUV光刻、x射线显微镜和XUV光谱。我们还生产滤光窗、日光滤光器和多波长封装组件。
AXUV100TF030 ODD-AXU-019 Photodiode with Directly Deposited Thin Film Filter
AXUV100TF400 ODD-AXU-002 Photodiode with Directly Deposited Thin Film Filter
SXUV100TF135 ODD-SXU-003 Photodiode with Directly Deposited Thin Film Filter
AXUV100TF030 ODD-AXU-019直接沉积薄膜滤光片光电二极管具有直接沉积薄膜滤光片
AXUV100TF400 ODD-AXU-002光电二极管
SXUV100TF135 ODD-SXU-003直接沉积薄膜滤光片光电二极管
